RSS

В Зеленограде придумали альтернативу флеш-памяти

16:24 01.03.2016

МИЭТМолодые ученые НИУ «Московский институт электронной техники» в Зеленограде сегодня занимаются разработкой альтернативы традиционной флеш-памяти. Внимание исследователей уже давно привлекает разработка новых видов энергонезависимой памяти для применения в устройствах микро-, нано- и оптоэлектроники. Зеленоградцы готовы предложить свою идею.

В МИЭТ предложили использовать фазовую память. «Это абсолютно новая технология. Поскольку компьютеры постоянно совершенствуются, флеш- и оперативная память уже не так эффективны. Уникальность фазовой памяти в том, что «начинка» имеет два состояния – аморфное и кристаллическое. Первое имеет низкую проводимость, второе – высокую. По нашему мнению, эта разработка – основной претендент на звание «памяти нового поколения». Ученые зеленоградского университета – одни из немногих, кто занимается передовыми исследованиями в этой области. Разработки также ведут Intelи Samsung, – рассказывает участница исследований Светлана Немцева.

Работа фазовой памяти основана на обратимом фазовом переходе из аморфного в кристаллическое состояние и обратно. Фазовая память – это массив ячеек, который формирует значение параметров «ноль» и «единица». Аморфное состояние аналогичное нулю в двоичной системе счисления, а кристаллическое – единице. Каждая ячейка отделена от других кремниевой оболочкой.

– Принцип записи и стирание данных в устройствах такой записи основан на резком изменении оптических и электрических свойств материала при фазовом переходе. Оно, в свою очередь, происходит в результате нагрева вещества до определенной температуры с помощью лазерного излучения или тока. Аморфная область разогревается до 140-150 градусов. По мере увеличения тока структура становится кристаллической. Чтобы переключить ячейку обратно в аморфную фазу, нужно разогреть область до 650 градусов и во время плавления резко ее охладить, – делится секретами разработки Светлана Немцева.

Среди главных преимуществ нового поколения памяти разработчики отмечают высокую скорость записи (до 100 наносекунд) и большое количество цикло перезаписи (около 10 миллионов). Такая память долговечна и должна служить более 20 лет. Среди преимуществ также отмечается стойкость к радиации, что позволяет применять фазовую память в космосе. Среди минусов отмечается отвод тепла: при таких высоких температурах массив ячеек может сплавиться, и вся информация будет потеряна.

Зеленоградские ученые продолжают совершенствовать свою разработку.

Теги: ЗелАО, МИЭТ

Если вы нашли ошибку: выделите текст и нажмите Ctrl+Enter

Сообщение об ошибке

Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
*
CAPTCHA Обновить код
Play CAPTCHA Audio

Версия для печати