RSS

«Ангстрем» заключил международное соглашение по производству новых типов транзисторов

15:44 31.10.2018

Международное соглашениеАО «Ангстрем» заключило трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Об этом сообщили в пресс-службе предприятия Зеленограда.

Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Ее использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.

Транзисторы на основе карбида кремния традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.

В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве приняли участие первый заместитель генерального ди⁠ректора АО «Ангстрем» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (Japan Semiconductor Engineering & Consulting) Хошино Масахиро и генеральный ди⁠ректор компании «Тайжоу Бийонд Технолоджи» (Taizhou Beyond Technology) Чжань Лэниан.

На «Ангстреме» будет быть внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг». Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу Бийонд Технолоджи», берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении 5 лет, а затем может быть продлено.

Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для АО «Ангстрем» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.

«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.

Если вы нашли ошибку: выделите текст и нажмите Ctrl+Enter

Сообщение об ошибке

Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
*
CAPTCHA Обновить код
Play CAPTCHA Audio

Версия для печати