RSS

Завод «Ангстрем-Т» освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET

15:11 30.01.2019

Ангстрем-ТАО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. Об этом сообщается на сайте компании. В данный момент «Ангстрем-Т» является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.

В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это дает возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать ее массу и габариты.

Объем мирового рынка MOSFET-транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.

АО «Ангстрем-Т» – ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130-90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. Компания предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий.


Если вы нашли ошибку: выделите текст и нажмите Ctrl+Enter

Сообщение об ошибке

Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
Неверно заполненное поле
*
CAPTCHA Обновить код
Play CAPTCHA Audio

Версия для печати